富兴配资美光财报会拆解半导体供需：DRAM/NAND库存下降 HBM成增长核心

财联社9月24日讯（编辑刘蕊）周二美股盘后富兴配资，在AI热潮的推动下，全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期的2025年第四财季（截至8月28日的三个月）营收和利润，并对当前季度（26财年第一财季）业绩给出了强劲的指引。

美光在财报会上特别强调，当前半导体芯片（尤其是HBM芯片）的供需不平衡预计将加剧。

美光科技第四季度经调整营收为113.2亿美元，同比增长46%，预估为111.5亿美元；调整后每股收益为3.03美元，上年同期为1.18美元，预估为2.84美元。

前景展望方面，美光预计2026财年第一财季营收为122亿至128亿美元，高于LSEG分析师平均预估的119.4亿美元；预计第一财季调整后毛利率为50.5%-52.5%，远高于预期的45.9%。

美光CEO Sanjay Mehrotra提到，当前半导体存储领域，DRAM库存已低于目标水平，NAND库存持续下降，此外，HBM的产能已经被锁定，需求增长显著，预计2026年HBM出货量增速将超过整体DRAM，成为半导体存储板块核心增长驱动力。

Sanjay Mehrotra强调了公司在 AI 内存市场的战略定位，他表示：" 未来几年，我们预计将有数万亿美元投资于AI，其中很大一部分将用于内存领域。"

美光科技 2025 年第四季度财报电话会议Q&A实录

参会人员：

美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra

美光科技首席财务官 Mark Murphy

美光科技投资者关系部负责人 Satya Kumar

会议主持人：我们的第一个问题来自瑞银（UBS）的 Timothy Arcuri。请发言，Timothy。

Timothy Arcuri：非常感谢。Mark，我想请你在指引方面提供一些帮助。我知道你不想涉及太多细节，但对于这12亿美元的环比收入增长，你能否帮助我们了解这部分增长在DRAM和NAND之间是如何分配的？另外，如果能提供一些关于毛利率的利好和不利因素分析，也会非常有帮助。

美光科技首席财务官 Mark Murphy：是的，Tim，你最后面的部分有点断断续续，但我想我明白了。

在第一财季，我们的增长将主要来自 DRAM，其产品结构占比将高于 NAND。

正如你所提到的，我们不会具体披露位元出货量（bits）和平均售价（ASP），但我们确实在指引中提到，毛利率将环比提升580个基点。这一提升将来自于产品结构优化、价格上涨，以及我们在成本削减方面的强劲执行力。

我们正处于一个非常有利的定价环境中。DRAM 供应紧张，而 NAND 的状况也在显著改善。正如你在我们今天的准备发言中听到的那样，我们确实正受到强劲的需求和供应两方面因素的共同推动。

在需求端，数据中心的支出依然强劲，并预计将持续增长。传统服务器的支出正在改善，并且预计也将增长。来自设备更新和推理工作负载的需求是主要驱动力。同时，PC、智能手机和汽车领域的存储容量需求也都在增长，这一点正变得越来越清晰。

在供应端，我们会在接下来的问答环节中深入讨论，但由于一些结构性因素，供应同样也处于紧张状态。我们正专注于自身的执行。再次强调，预计本季度的价格、产品结构和强劲的执行力，将共同推动 580个基点的毛利率增长。

Timothy Arcuri：非常感谢，Mark。Sanjay，我记得你之前曾指引我们，到 2028 年 HBM 的市场总规模（TAM）将达到 1000 亿美元。

但自从你给出这个数字后，市场上出现了一些非常夸张的传闻，包括英伟达提到的一些TAM数字，以及 OpenAI 等公司正在进行的一些投资。很明显，计算领域的整体规模比你当时可能假设的要大得多。你是否有这个数字的最新更新？我想它可能会比那个数字更大。也许你可以评论一下你对明年的看法？

我知道今年你看到的是 30% 多一点的增长。我在想，你是否能给我们一些关于从明年开始的、哪怕是些微的乐观预期，以及对 2028 年达到 1000 亿美元这个目标的最新看法。

美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra：Tim，你的信号不太好，有很多地方断断续续，但我想我明白了你问题的要点。

关于我们之前提到的 HBM 长期市场总规模（TAM），我们曾表示，到 2030 年，我们预计 HBM 的 TAM 将达到 1000 亿美元。我们还曾说过，HBM 的位元（bit）复合年增长率（CAGR）将超过整体 DRAM 的位元复合年增长率。

我们认为，在 2026 年，HBM 的出货量增长也将超过整体 DRAM 的出货量增长。

当然，展望未来，HBM 的价值主张持续提升。正如我们所讨论的，HBM 在 2026 年正从 HBM3E 向 HBM4 过渡。美光当然处于非常有利的位置。

市场开始要求更高的性能，而我们今天也指出，美光的 HBM4 产品将拥有最高的性能，引脚速度超过每秒 11 吉比特（Gbps），当然，也具备最高的能效。

HBM 的规格要求正变得越来越苛刻富兴配资，这对我们来说非常令人振奋，因为我们在这些产品上的定位非常有利。这意味着 HBM 的价值主张将持续增长。

我们无疑将继续看到强劲的长期增长，并对所有这些关于大规模数据中心基础设施支出的各种公告感到非常兴奋。我们已经讨论过，未来几年将有上万亿美元的支出，而存储正是这场 AI 革命的核心所在。

这为整个存储行业，也为 HBM 带来了巨大的机遇。我们对HBM 的长期机遇感到非常乐观，对2026 年的 HBM 机遇也感到乐观，并且对美光凭借其强大的产品组合、强劲的执行记录，以及我们在满足客户质量和产能需求方面与客户建立的信任而所处的有利位置，感到非常乐观。

未来充满机遇，我们当然也会继续与客户保持密切合作。

会议主持人：谢谢。我们的下一个问题来自美国银行的 Vivek Arya。请发言，Vivek。

Vivek Arya：谢谢你们接受我的提问。我很好奇，你们如何看待从 HBM3E 到 HBM4 的过渡？你们预计明年什么时候会出现（市场份额的）交叉点？

我想，作为其中的一部分，你们提到 HBM3E 在 2026 年的定价已经确定。我很好奇，与你们现在获得的价格相比，这一定价的方向是什么？是更高还是更低？你们预计你们的 HBM3E 市场份额在明年会保持不变还是会有所变化？

美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra：

关于 HBM4，我们当然会处于这次产能爬坡的最前沿，与客户的时间表保持高度一致。正如我们所提到的，我们拥有业内最好的产品，其性能最高（超过每秒11吉比特），功耗也更低。这是一款行业领先的产品。

我们将根据客户需求进行产能爬坡，首批量产产品预计将在2026 年第二季度出货，生产将在 2026 年全年（包括下半年）持续爬坡，这一切都将与客户需求保持同步。

总体而言，与 2025 年相比，我们预计在2026年的市场份额将会增长，我们的产品定位非常有利。

我们不对 HBM3E 的定价发表评论。我们已经告知大家，关于 HBM3E，我们已与几乎所有客户就我们 2026 年绝大部分的 HBM3E 产能达成了定价协议。

我们正在与客户就 HBM4 进行讨论。我可以告诉大家的是，供应非常紧张。

我们预计，2026年整体 DRAM的供需环境将保持健康，这对于 DRAM 的盈利能力、HBM 的盈利能力，当然还有同样面临供应紧张的非 HBM 业务的盈利能力，都是好兆头。

Vivek Arya（跟进提问）：明白了。作为我的跟进问题，也许可以请 Mark 谈一下毛利率方面。从概念上讲，这是一个怎样的水平？在今年剩余的时间里，你如何看待毛利率的推动因素和阻力，以及这个 51.5% 的水平？这算是一个基准线吗？只要销售额增长，你们是否就能在这个水平上继续扩张？

与此相关的是，当我查看你们云数据中心业务时，其毛利率为 59%，运营利润率为 48%。请问，从这些已经非常强劲的水平上，未来还有多少进一步扩张的空间？谢谢。

美光科技首席财务官 Mark Murphy：是的，Vivek，我们不会提供季度之外的财务指引，但我们可以说的是，我们相信并预计毛利率将从第一财季到第二财季实现环比改善。

这基于以下几点：DRAM 供应紧张及其带来的相关定价优势。NAND 业务的持续改善。产品结构优化，我们继续将产能导向高价值市场。我们的成本控制表现持续良好。

正如我在准备好的发言中提到的，我们认为这些供需因素在需求端是可持续的。数据中心支出持续增长。我之前也提到了传统服务器支出，以及边缘计算和汽车领域的存储容量需求增加。

在供应端，客户库存水平健康。我们自身的供应也保持精简。我们的 DRAM 库存低于目标。NAND 的状况也在持续改善。

我们正致力于以最高效的方式来响应市场供应需求。我们正在进行技术节点的迁移，但由于行业延长了对 DDR4 的支持，这在一定程度上限制了节点迁移的速度。最后，新增洁净室空间需要很长时间且成本高昂。我们都知道HBM的硅片制造强度，这使得其产能需求尤为迫切。

这为我们进入2026年奠定了良好的基础。我们为第一季度提供了强劲的毛利率指引，并且我们预计第二季度的毛利率将继续上升。

我还想重申 Sanjay 提到的一点：我们预计在 2026 年，无论是 HBM 还是非 HBM 业务，都将实现健康的利润率。关于季度外的指引，我就说这些。

会议主持人：谢谢。下一个问题来自 Cantor Fitzgerald 的 CJ Muse。请发言，CJ。

CJ Muse：下午好。感谢你们接受我的提问。

我的第一个问题是，在过去的一两个月里，感觉由进行推理工作的超大规模客户引领，DRAM 需求出现了一个拐点。我很好奇，您能否谈谈您所观察到的情况，包括需求的广度，以及这种需求的可持续性？我很想听听您的看法。

您之前提到，预计到2026财年，供应都会保持紧张。我想了解的是，考虑到通常在2月份所在的季度（译注：指美光的第二财季）是季节性需求放缓的时期，您对此有何看法？我们应该会看到正常的季节性放缓，还是说供应端的限制如此之严，以至于市场状况会比正常的季节性表现要好得多？

美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra：当然富兴配资，我们目前不会提供第二财季的指引，但可以肯定的是，AI 趋势非常强劲。

正如你所指出的，这不仅体现在训练端，在推理端也是如此。随着 AI 应用的不断拓宽、创新的不断增加，以及各种不同架构的发展，所有这些都在持续扩大数据中心以及智能手机等边缘设备对 AI 的需求。

在数据中心，AI 服务器已经驱动了强劲的需求，这一点众所周知。特别是对各种 DRAM 的需求都在增长，不仅仅是 HBM，还包括 LPDRAM 和高密度 DRAM 模组。

正如我们在发言中提到的，我们也看到传统服务器的需求同样在增长。这确实在推动整个行业形成一个强劲的增长趋势。

需求向量正在拓宽，特别是在智能手机领域。你已经看到，一些支持 AI 的智能手机已经发布并开始出货，与上一代手机相比，它们内置了更高容量的 DRAM。

PC 是另一个推动力，包括 AI PC 的兴起以及 Windows 10 的生命周期结束。AI PC 同样会推动 DRAM 容量需求的增长。

总的来说，AI 趋势非常强劲，并且跨越了数据中心、AI 智能手机和 AI PC 等多个领域。这正是我们预计在2026年全年都将看到强劲需求的原因。

我们也谈到了供应紧张的问题。Mark 刚刚阐述了导致供应紧张的因素，这些我们在准备发言中也有讨论。总体而言，我们对2026年的健康供需环境充满期待。客户库存，无论是客户还是供应商的库存，都处于良好状态。实际上，供应商的库存运行得非常精简。美光的DRAM供应非常紧张。

CJ Muse（跟进提问）：谢谢。作为一个快速的跟进问题，关于资本支出（CapEx），Mark，这似乎意味着净资本支出将达到180亿美元，而去年为138亿美元。我记得你谈到了前端设备、洁净室空间以及 DRAM。有没有办法将其分解，说明一下设备和洁净室分别占多少？你能否与我们分享一下 2026 财年的总资本支出（gross CapEx）是多少？非常感谢。

美光科技首席财务官 Mark Murphy：

是的，我们没有详细列出具体的数字。只是我们在 2026 年的支出，绝大部分都将用于 DRAM。其中包括与之相关的厂房建设和设施投入，以及一些用于技术节点迁移的设备，并且我们也开始为新的绿地项目（greenfield，指新建工厂）安装设备。

关于你提到的资本支出框架，你说得对，我们确实给出了一个大约 180 亿美元的指引。我们通常会在 “净资本支出”（net CapEx）的语境下讨论资本支出，即总资本支出（gross CapEx）减去来自政府激励的资金。

我们不会具体讨论 2026 年的总资本支出和净资本支出，但你可以从我们的公开文件中看到相关的构成部分，从而推算出来。你可以查看我们在 2025 年的总支出，以及政府激励的金额。

我们在 2025 年的净资本支出最终为 138 亿美元，其中总资本支出为 158 亿美元，获得了 20 亿美元的政府激励。

你未来也会看到类似的情况。2025 年的政府激励主要来自美国、新加坡和日本。我们未来可以就这些激励措施进行更多讨论。谢谢。

会议主持人：谢谢。下一个问题来自摩根大通的 Harlan Sur。请发言，Harlan。

Harlan Sur：下午好。感谢你们接受我的提问。库存天数现在已经达到了你们此前预期的目标水平，并且其中 DRAM 的库存实际上低于你们的目标，对吗？

考虑到强劲的 HBM3E 和 12-high 产品，以及对非 AI DRAM 持续强劲的需求拉动，你们如何看待本季度结束时的总体库存和 DRAM 库存状况？库存天数会继续下降吗？考虑到整体供应紧张，你们的交货周期是否在延长，客户是否在更早地下订单？这是否意味着更好的可见性？是什么给了你们团队信心，认为供应紧张的局面会持续到 2026 年？

美光科技首席财务官 Mark Murphy：是的，Harlan，我来回答这个问题。我们确实预计库存天数（DIO）将保持在第四季度的水平，甚至更好。正如我们全年所讨论的那样，DRAM 供应将持续非常紧张，所以我们预计库存将继续低于目标。

对于 NAND，我们采取非常有纪律的管理方式，而该市场也在持续改善，因此我们预计NAND 的库存天数也将下降。

美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra：我们与客户保持密切合作，客户也充分理解当前需求环境强劲、供应非常紧张的状况，以及 DRAM 及其供应前景的紧张态势。

我们与客户紧密合作。我想指出的是，展望未来供应，我们正计划通过 1-gamma 技术的产能爬坡来支持非 HBM 产品的需求。

对于 HBM 产品，我们将通过 1-beta 技术来支持。我们将继续专注于实现最高的生产效率，并充分利用现有的洁净室空间来实施技术迁移，同时推动实现最高的生产效率。

Harlan Sur：Sanjay，随着你们的客户不断地在其 GPU 和 XPU 平台上进行差异化，内存似乎正成为他们差异化的一个关键焦点领域。正如你所提到的，你们的一些 HBM4 客户正在寻求比普通的 JEDEC 标准高出多达 25% 的带宽。看起来美光团队交付的解决方案比 JEDEC 规格高出了 40% 的性能，对吗？这远远超出了你们客户的要求。

为了实现这些令人印象深刻的成果，团队是否必须重新设计基础逻辑芯片（base die）？我只是想知道，这种更高性能的 HBM4 SKU 是否可能推迟了客户的电话会议，或者说，会议日程是否仍然按照你们最初的计划保持在正轨上？更重要的是，即使在更高的速度下，你们的功耗是否仍然优于你们的竞争解决方案？

美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra：非常好的问题，Harlan，感谢你提出这些问题。

我们对团队的执行力感到非常自豪，对我们团队在 DRAM 芯片和其中所使用的先进 CMOS 技术方面的设计感到自豪，同时也对我们的基础芯片（base die）感到自豪，它同样采用了先进的 CMOS 技术。

所有这些因素的结合 —— 我们的创新设计、我们的内存架构、我们在 DRAM 中使用的先进 CMOS 技术，以及在基础芯片中使用的先进 CMOS 技术 —— 当然，这种先进的 CMOS 基础芯片是由美光公司内部制造的，这为我们提供了竞争优势。

所有这些实际上使我们能够满足客户日益提高的要求，实现每秒2.8千兆字节（GB/s）的带宽，以及每秒超过11吉比特（Gbps）的速度。

这确实使我们处于非常有利的位置，为我们以这些规格进行 HBM4 产品的量产爬坡做好了准备。

正如我所说，凭借这些规格，我们将处于 HBM 出货量爬坡的最前沿，并使其与客户需求保持一致。谢谢。

我只是想澄清一下，我想我说的带宽是每秒 2.8 太字节（TB/s）。我希望这一点能表达清楚。带宽是每秒2.8太字节，速度是每秒11吉比特。

会议主持人：谢谢。下一个问题来自 TD Cowen 的 Krish Sankar。请发言，Krish。

Krish Sankar：嗨，感谢你们接受我的提问。

Sanjay，你之前提到，HBM的供应希望能在未来几个月内售罄。如果假设你们在 2026 年全年都能售罄，有没有办法量化一下这一年的供应机会？如果 HBM 的需求比预期更好，而你们又在未来几个月内售罄，那么在 2026 年你们还能增加供应吗？我还有一个简短的跟进问题。

美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra：是的，我们不会分解具体的供应数量等细节。

是的，关于 HBM3E，正如我们所提到的，我们已经与绝大多数客户就我们绝大部分的 HBM3E 供应达成了定价协议。对于 HBM3E 的供货量，我们与大多数客户也已经确定。

随着我们的客户敲定他们的 HBM4 计划，特别是针对更高规格的计划以及他们在下一代平台上的部署，我们预计将在未来几个月内，也就是在2026 年，完成我们关于 HBM4 供应以及 2026 年全年 HBM 供应的协议。

我们对我们行业领先的 HBM4 产品规格感到非常满意，其性能绝对优于其他所有产品。我们在这方面处于非常有利的位置。

关于你的问题，我们当然会管理我们的产品组合结构。我们已经在第三季度（CQ3）实现了我们的 HBM 市场份额，使其与我们在整体行业 DRAM 中的份额保持一致。

我们会进行管理，并且考虑到非 HBM 业务也拥有健康的利润率，我们现在会管理我们的产品组合结构，当然，这会同时考虑我们整个产品组合的投资回报率（ROI），并在总投资方面保持纪律性。

你们可以理解，我们在 HBM 的市场份额方面当然有灵活性，可以把握机会进行管理。因为在前端制造环节，HBM 使用的 1-beta 晶圆与我们其他一些产品是相同的。这为我们在前端的供应管理以及封装测试环节提供了一定的可替代性和灵活性。

凭借我们在过去几个季度所做的投资，我们在封装测试产能方面也处于非常有利的位置。

我们的投资以及我们团队在产能爬坡方面的强劲执行力，给了我们充分的信心，也让我们现在有了灵活性，可以在考虑投资回报率的前提下，管理整个 HBM 和非 HBM 产品组合的结构，并在投资方面保持纪律性。

Krish Sankar：明白了。谢谢，Sanjay。关于 HBM4 我还有一个简短的问题。很高兴看到每秒 11 吉比特的引脚速度。你们还提到，你们既提供自研的基础逻辑芯片（base die），也提供定制化的台积电（TSMC）逻辑芯片。有没有办法了解你们预期这两种产品的占比会是多少？你们预计会有更多客户选择自研芯片还是台积电的芯片？从美光的角度来看，根据客户需求在这两者之间切换的难易程度如何？

美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra：

HBM4 产品采用的是我们自研的基础逻辑芯片（base die）。而对于 HBM4E，正如我们在发言中提到的，我们将同时提供标准产品和定制化产品。HBM4E 是我们与台积电（TSMC）合作的项目。

HBM4E 目前业界尚未推出，它不是一个 2026 年的产品，而将是一个面向 2027 年的产品。我们将在未来分享更多细节，届时我们将在 HBM4E 产品线中同时提供标准和定制化产品。

在业界，HBM4 采用的是我们自己的基础逻辑芯片。HBM4 将是我们正在进行量产爬坡的产品。

正如你所提到的，HBM 的价值主张持续提升，而 HBM4E 的价值主张将进一步增强。我们当然期望定制化产品能带来更高的毛利率，这一点我在准备好的发言中也有提及。

我想再次强调，我们的 HBM 使用的是我们自己的逻辑芯片。这意味着采用的是美光自研的 CMOS 技术，这为我们提供了独特的优势，并且当然，这与我们的 DRAM 设计、DRAM 架构，以及嵌入在 DRAM 内部的 CMOS 技术一起，都是我们实现行业领先性能的关键因素。所有这些都为我们带来了独特的优势。

会议主持人：谢谢。由于今天的问答环节时间已到，本次会议的问答部分以及今天的电话会议到此结束。感谢大家的参与。现在您可以挂断电话了。

（以上会议记录内容使用AI协助）